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2010/01/20 12:14 KST
サムスン電子、米ラムバスと特許ライセンス契約


【ソウル20日聯合ニュース】サムスン電子が米ラムバスと特許ライセンス契約を締結し、これまでの関連訴訟を取り下げることで合意した。

 サムスン電子は20日、ラムバスに5年間で総額7億ドル(約637億円)を支払う条件で全半導体製品関連の特許技術を使用する内容のライセンス契約を結んだと説明した。まず前渡金として2億ドル、今後は四半期ごとに2500万ドルずつを支払う。これを受け両社は、これまでの特許関連訴訟を取り下げることを決めた。

 サムスン電子は訴訟以前から長期にわたり、ラムバスと契約を結んだ上で、ラムバス独自のメモリー半導体、ラムバスDRAM技術を使用してきた。しかしラムバスが2005年6月、契約せずに自社の特許18件を侵害したとしてサムスン電子を提訴。続いて、サムスンをはじめとする複数半導体メーカーによる談合で被害を被ったとし、別の訴訟も提起した。これにサムスン側も、ラムバスの主張には根拠がないと主張し反訴。以来、5年近く訴訟を続けてきた。

 また両社は、サムスン電子がラムバスの発行する新株を総額2億ドルで買い取る内容の契約も結んだ。この持分投資で、サムスンは8%台のラムバス株を保有することになる。

 サムスン電子は、カナダのモザイド・テクノロジーとも今月1日発効の特許ライセンス契約を締結し、高性能NAND型フラッシュメモリー共同開発を模索することを決めている。

japanese@yna.co.kr